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采用Ｓｉ和ＴｉＣ为原料，通过反应热压可制得纳米ＳｉＣ粒子复合的ＴｉＳｉ２材料，生成的纳米ＳｉＣ粒子聚集分布在ＴｉＳｉ２基体中，ＳｉＣ粒子与ＴｉＳｉ２的同没有晶界相存在，但由于残余应力的作用，ＴｉＳｉ２晶格发生扭曲并有位错出现。
原位生成SiC／TiSi2纳米复合材料的显微结构
【摘 要】
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采用Ｓｉ和ＴｉＣ为原料，通过反应热压可制得纳米ＳｉＣ粒子复合的ＴｉＳｉ２材料，生成的纳米ＳｉＣ粒子聚集分布在ＴｉＳｉ２基体中，ＳｉＣ粒子与ＴｉＳｉ２的同没有晶界相存在，但由于残余应力的作用，ＴｉＳｉ２晶格发生扭曲并有位错出现。
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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1999年8期
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