论文部分内容阅读
高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率相结合。此外,因为基于高容量的Si制造流程,高压LDMOS的可靠性众所周知且已经过市场验证。LDMOS的固有特性使其可承受＋5dB的过驱动,且无故障风险,灵活性的提升有助于实现不同的脉冲格式并防止热失控,从而使整体系统设计比既有的双极技术更简单。