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采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜，采用ECR-CVD工艺对部分ta—C薄膜试样进行氮等离子体处理，制备了ta-C：N薄膜。对两种薄膜的表面粗糙度与元素含量、沉积工艺参数之间的关系进行了研究。通过AFM对薄膜表面粗糙度进行了分析，通过XPS对薄膜的元素含量进行了分析。试验结果显示，沉积条件对薄膜厚度和元素含量具有明显的影响。对ta—C薄膜进行氮等离子体处理后，其表面粗糙度有一个明显的起伏变化。研究结果表明，氮能改变DLC薄膜表面的粗糙度。元素含量也随着薄膜的厚度变化而变化。