射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜

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采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备稀土掺杂铝酸锶薄膜,在900℃和1100℃下、弱还原气氛中退火,分别得到SrAl2O4:Eu2+,Dy3+和Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+长余辉发光薄膜.结果表明:SrAl2O4结构是形成Sr4Al14O25相结构的中间相;在360ntn激发光激发下,SrAl2O4:Eu2+,Dy3+薄膜发光峰位于517nm处左右,发光强度相对略高于Sr4Al14O25:Eu3+,Dy3+薄膜,且后者发光峰位于490nm处左右;Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+
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