【摘 要】
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日本东芝公司已研究成缩小下一代IGbDRAM用的存储单元面积的技术。新技术具有以下特点：适用于采用多层电容的DRAM，用绝缘氯化硅膜复盖用于读写存储单元的位线和字线，设定特定的
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日本东芝公司已研究成缩小下一代IGbDRAM用的存储单元面积的技术。新技术具有以下特点：适用于采用多层电容的DRAM，用绝缘氯化硅膜复盖用于读写存储单元的位线和字线，设定特定的腐蚀条件，没有电容、晶体管间的配线（电感）和这些线的间隙。IGbDRAM的存储单元的面积，NEC制作的最小尺寸为0．23pm’，采用新技术，可控制在0．18pm的尺寸以人。IGbDRAM的线宽为0．15pm，根据使用准分子激光器的线宽为0．22pm的微细加工技术，从原理上讲可达到IGbDRAM的0．且spin的线宽。半导体界认为，I
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