电子束蒸发在不同Ar气氛下外退火制备MgB2超导薄膜

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qpzm007
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制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(-900℃)和中温区(-750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc-35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题,对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压
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