波导雪崩光电二极管有望用于1550nm光

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaolaohu_521
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美国德克萨斯大学和朗讯科技公司的研究人员用端照射波导结构制作了波导约束 In Ga As/ In Al As雪崩光电二极管 (APD)。该器件综合了波导与雪崩光电二极管的特征 ,可望用作对 1.55μm通信波段快速灵敏的光电二极管。该器件建立在独立吸收负载倍增 (SACM)电路的基础上 ,全增益? Researchers at the University of Texas and Lucent Technologies made waveguide-constrained In Ga As / In Al As avalanche photodiodes (APDs) using end-fired waveguide structures. The device combines the features of waveguides and avalanche photodiodes and is expected to be used as a fast and sensitive photodiode for the 1.55μm communications band. The device is based on the independent absorption load multiplication (SACM) circuit, based on full gain?
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