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ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV，而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度，因此，ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系。此外，ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一，也有可能作为GaN晶体生长的基体。但是，目前对ZnGeN2晶体生长，结构和物理性能研究的报道较少。