【摘 要】
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采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg2Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样
【机 构】
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贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州大学大数据与信息工程学院
【基金项目】
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贵州省科技计划(黔科合基础[2019]1225号),贵州师范大学资助博士科研项目(GZNUD[2018]15号)。
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采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg2Si薄膜的结构和电阻率的影响。结果表明:随着溅射功率增加,样品的XRD衍射峰逐渐增强;但当功率超过100 W时,样品中出现了偏析出来的单质Mg。随着溅射时间增加,样品的XRD强度先增强后减弱,溅射时间为40 min时,样品的XRD衍射峰最强;继续增加溅射时间,样品中出现微弱的MgO衍射峰。所有样
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