【摘 要】
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铝箔在HCl-H2SO4体系发孔后,在添加有缓蚀剂十二烷基苯磺酸钠的1 mol/L HNO3溶液中电解扩孔;以730 V二级化成箔的比电容值为主要评价指标,并结合扫描电镜的分析数据,研究了缓
【机 构】
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广西科技大学生物与化学工程学院,广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
【基金项目】
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广西科学研究与技术开发计划项目（桂科攻1598007-25）
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铝箔在HCl-H2SO4体系发孔后,在添加有缓蚀剂十二烷基苯磺酸钠的1 mol/L HNO3溶液中电解扩孔;以730 V二级化成箔的比电容值为主要评价指标,并结合扫描电镜的分析数据,研究了缓蚀剂浓度、扩孔温度和时间对铝箔扩孔效果的影响。结果显示：缓蚀剂的引入提高了化成箔的比电容;缓蚀剂浓度增大时,腐蚀箔的孔密度增大,孔径变小;在730 V下化成时,扩孔液中十二烷基苯磺酸钠的最佳浓度为0.1 g/L,最佳温度为75℃,最佳时间为500 s,阳极箔比电容达到0.481μF/cm^2,比电容提高了20%。
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