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<正> 功率MOSFET因具有众所周知的优异性能,在高频等领域获得了日益广泛的应用。在功率变换电路中,由于电路拓扑结构的需要(如全桥电路)和提高电路抗干扰能力的要求,在功率主回路和控制电路之间需要实现电隔离。隔离环节性能直接影响功率器件的工作和整个电路系统的抗干扰能力。光电耦合器和脉冲变压器是两种常用的隔离元器件。光耦的不足之处在于其抗干扰能力差,这是由于光耦的原、副侧之间存在较