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使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性，分析了其能带结构和电子态分布．计算结果表明：2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大；电子温度在0-2．25ev范围内时，2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体，当Te超过2．25eV达到2．5eV以上时，2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体；随着电子温度升高，导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动，当电子温度Te大于3．5eV以后，价带顶穿越费米能级；电子温度Te在0-2．0eV变