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使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0-2.25ev范围内时,2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体,当Te超过2.25eV达到2.5eV以上时,2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;随着电子温度升高,导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动,当电子温度Te大于3.5eV以后,价带顶穿越费米能级;电子温度Te在0-2.0eV变