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研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法．发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋于饱和现象．研究了掺硅氮化镓的电学、光学、结晶学以及表面形貌等物理性质．
掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究
【摘 要】
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研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法．发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋于饱和现象．研究了掺硅氮化镓的电学、光学、
【机 构】
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中国科学院半导体材料科学实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年07期
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