MOS型新型功率器件终端场分析与实验

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wri666
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采用二维有限元数值分析分析的方法,开发了用于反向偏置p-n结分析的模拟软件,可以模拟与MOS型功率器件反向耐压有关的终端浅结场环、场板、SiO2介质及界面态,为器件的终端研究,设计和优化提供了精确而有效的CAD工具,此文介绍模拟所采用的物理模型和模拟方法,并以三环浅结带场板终端为例,给出部分模拟实例,结论及实验结果。
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