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理论上计算了VO2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO2薄膜晶体中键长的影响，研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明，杂质使VO2薄膜晶体中的键长伸长，点阵常数增大，晶体结构稳定性降低，电阻突变温度降低，电阻突变数量级减小。
多种杂质对VO2薄膜电阻突变性能的影响
【摘 要】
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理论上计算了VO2薄膜点阵常数的变化及杂质对VO2薄膜晶体中键长的影响，研究了K、Na、Fe、Si等多种杂质离子对VO2晶体点阵常数和键长的影响。结果表明，杂质使VO2薄膜晶体中的键
【机 构】
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攀枝花学院生物与化学工程学院,四川省钒钛材料工程研究中心。攀枝花617000,攀枝花学院材料工程学院
【出 处】
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材料导报：纳米与新材料专辑
【发表日期】
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2010年2期
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