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测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅｒ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响。结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且，该变化量与探测器性能有很好的对应关系。
背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响
【摘 要】
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测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅｒ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响。结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为
【机 构】
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昆明物理研究所
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1997年1期
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