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六角纤锌矿结构ZnO是一种应用广泛的直接宽带隙（3．36eV，300K）半导体材料．其优异的光电、压电等性能使其成为近10年来全世界半导体研究的热点。综述了自1997年以来ZnO的P型掺杂以及ZnO基发光器件方面的研究成果，比较了不同方法制备的P型ZnO材料和发光器件的性能差异，分析了造成各种差异的原因，并针对当前研究提出了一些建议和预测。