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采用循环伏安及交流阻抗研究As（Ⅲ，V），Sb（Ⅲ，V）和Bi（Ⅲ）对铜电沉积及阳极氧化机理的影响。研究结果表明：电解底液循环伏安分别在0．06v和-0．25V出现还原峰a和b，在0．10V和0．23v出现氧化峰b’和a’。As（Ⅲ）加速铜的电沉积，As（V），Sb（Ⅲ，V）和Bi（Ⅲ）均改变铜的沉积机理，使两步反应变成一步反应，其中，加入Sb（Ⅲ，V）和Bi（Ⅲ）的电解液在-0．13V附近出现杂质sb和Bi的还原峰；这些杂质均抑制铜的氧化反应，改变阳极氧化机理，使两步氧化变为一步氧化反应；将As（Ⅲ，V