宽带GaAs三栅MESFET开关模型

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提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 . A model of tri-gate MESFET switch-additional gated switch is proposed. The model is based on the structure of the tri-gate MESFET switch device. The influence of the gate on the microwave signal is considered. It is suitable for the design of MMIC switch circuit and has good Broadband microwave characteristics. The measured values ​​of the device are in good agreement with the simulated values ​​of the model.
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