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研究了采用Sn／Bi合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr／Ni／Cu／Sn、芯片上形成Cr／Ni／Cu／Bi多金属层，在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合，键合过程不需使用助焊剂，避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明：这种键合工艺具有较好的气密性，键合区合金层分布均匀，无缝隙、气泡等缺陷，键合强度较高，能够满足电子元器件和微机电系统（MEMS）可动部件低温气密性封装的要求。