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基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置，对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明，金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果；加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好，30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上；随着加工时间的延长，表面粗糙度越来越小，加工30min时粗糙度减小率达到86.54%，继续延长加工时间，加工表面粗糙度趋向稳定。通过优化工艺参数对直径为50.8mm（2英寸）6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光，并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度，