【摘 要】
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本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响
【机 构】
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上海交通大学微电子技术研究所,亚琛工业大学半导体电子学研究所
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本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W.
This paper, for the first time, introduces the InGaAs metal-semiconductor-metal photodetector (MSM-PD) with an undoped InP Schottky barrier enhancement layer successfully fabricated using low temperature MOVPE technology. The dark current is less than 60 nA at 1.5 volts 100 × 100) μm to 2, response time t_r is less than 30 ps (6 V), and its sensitivity is 0.42 A / W at 6 V.
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