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SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管（HBT），其ft超过70GHz，β〉120，并具有高线性、低噪声等特点，非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺，提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成，采用3．3V单电压源，比较时钟超过10GHz，差模信号电压输入量程为0．8V，输出差模电压0．4V，输入失调电压约2．5mV；工作时钟10GHz时，用于闪烁式A／D转换器可以达到5位的精度。