【摘 要】
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本文提出了硅禁带宽度的温度关系的一个新的表达式。它可用于一个宽的温度范围(150-400K),同时又具有较高的精度,并且特别适合应用于带隙参考电压源与集成温度传感器等电路的
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本文提出了硅禁带宽度的温度关系的一个新的表达式。它可用于一个宽的温度范围(150-400K),同时又具有较高的精度,并且特别适合应用于带隙参考电压源与集成温度传感器等电路的设计.
This paper presents a new expression for the temperature dependence of the silicon forbidden band width. It can be used over a wide temperature range (150-400K) with high accuracy and is ideally suited for designs such as bandgap reference voltage sources and integrated temperature sensors.
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