【摘 要】
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GaN/In_xGa_（1-x）N型最后一个量子势垒结构能有效提高发光二极管（LED）器件内量子效率,缓解LED效率随输入电流增大而衰减的问题.本文综述了该结构及其结构变化——In组分梯度递增
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
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GaN/In_xGa_（1-x）N型最后一个量子势垒结构能有效提高发光二极管（LED）器件内量子效率,缓解LED效率随输入电流增大而衰减的问题.本文综述了该结构及其结构变化——In组分梯度递增以及渐变、GaN/In_xGa_（1-x）N界面极化率改变等对改善LED器件性能的影响及优势,归纳总结了不同结构的GaN/In_xGa_（1-x）N型最后一个量子垒的工作机理,阐明极化反转是该结构提高LED性能的根本原因.在综述该结构发展的基础之上,通过APSYS仿真计算,进一步探索和深入分析了该结构中In_xGa_
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