【摘 要】
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NEC成功地开发了采用双层铝工艺的FeRAM混合IC卡。可与DRAM相同的高速改写工作，且为非易消性的FeRALM作为“高速非易消性的半导体存储器”正倍受注目。本次开发的FeRAM混合IC
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NEC成功地开发了采用双层铝工艺的FeRAM混合IC卡。可与DRAM相同的高速改写工作，且为非易消性的FeRALM作为“高速非易消性的半导体存储器”正倍受注目。本次开发的FeRAM混合IC卡是用FeRAM更换原EZPROMo靠着FeRAM高速写入特性，与EZPROM制品相比，其写入时间可为1／1000。结果，写入能量只为1／1000即可。另外，在芯片中的占有面积约为其l／2。本次开发的FeRAM与EZPROM相比，存贮每位所需单元面积为0．98倍即可。而且，由于FeRAM不需要内部升压电路，所以，作为整体
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