【摘 要】
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采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs (ITO/ TiO2/ TPD/ Alq3 / Al)的发光性能得到很大改善.研究TiO2缓冲
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采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs (ITO/ TiO2/ TPD/ Alq3 / Al)的发光性能得到很大改善.研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍.这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡.
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