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对45nm及以下技术节点的逻辑器件嗣造来说，经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后，仍保持超浅结（USJ）的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又—挑战。一种新型短循环法可精确测量各种去胶储洗工艺造成的非晶硅或SiGe的损失量。
离子注入后品圆清洗带来的材料和掺杂剂损失的测量
【摘 要】
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对45nm及以下技术节点的逻辑器件嗣造来说，经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后，仍保持超浅结（USJ）的完整性非常重要。在PMOS区采用SiGe带来了材料方面的又—挑
【机 构】
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IBMMicroelectronicsHopewellJunction,CharteredSemiconductorMfg.Ltd.,MattsonTechnology
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2009年1期
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