一种高线性度的单片集成电调衰减器

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本文设计了一款GaAs PHEMT微波单片集成电调衰减器,该电路设计采用T型衰减器的拓扑结构,对电调衰减器的线性度进行了专门设计。针对电调衰减器的线性度进行分析,提出了一种有着更小的电阻变化率的FET管,提高了输入三阶交调截取点。采用中国电科第十三研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,测试结果表明,在频率0.05~3 GHz内,衰减动态范围大于25 dB,输入三阶交调截取点大于30 dBm。该款微波单片集成电调衰减器设计达到了预期性能,并实现了高线性度的目标。
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