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以不同配比的粗、细SiC粉体和WC粉体为原料,在2 200℃以上烧结得到RSiC-WC复相陶瓷。采用XRD、SEM和EDS对复相陶瓷的物相组成和微观形貌进行分析,并测定其开口气孔率、抗弯强度和电阻率。结果表明：RSiC-WC复相陶瓷中以6H-SiC和WC为主晶相,存在少量W2C晶相。烧结产物中SiC颗粒再结晶程度良好,WC在烧结温度下与SiC晶粒润湿性好。RSiC-WC复相陶瓷的最低开口气孔率、最高抗弯强度和最低电阻率分别为19.2%、109 MPa和15 m-.cm。体系中SiC晶粒生长遵循蒸发-凝聚的