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良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能，高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺，选择湿法腐蚀工艺，使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAs进行了腐蚀，在二者配比为3：1的条件下，在GaAs衬底材料上制备了深宽比为2：1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。