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基于ＧｅＳｉ合金的等离子体色散效应，研制了一种Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型调制器，通过对其损耗和调制特征的测试得到：调制器对１．３μｍ光的插入损耗为６．５ｄＢ，最大调制深度达８５％，相应的π相移调制民压为０．９Ｖ，关断电流和调制区的注入电流密度分别为４０ｍＡ和０．９７ｋＡ／ｃｍ＾２。
GeSi／Si Mach—Zehnder干涉型调制器的研制
【摘 要】
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基于ＧｅＳｉ合金的等离子体色散效应，研制了一种Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型调制器，通过对其损耗和调制特征的测试得到：调制器对１．３μｍ光的插入损耗为６．５ｄＢ，最大调制深度达８５％，相应的π相移调制民压为０．９Ｖ，关断电流和调制区的注
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433,西安交通大学微电子工程系!西安710049,复旦大学?
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家“八六三”计划资助项目,国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 ),中国博士后基金
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