【摘 要】
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利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响.利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,山西太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,山西太原030024
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利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响.利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌.当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70～110 nm增加至110 ～ 150 nm.当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW.对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率.
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