【摘 要】
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本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnx Te的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnx Te进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有
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本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnx Te的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnx Te进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面。AFM分析发现,化学抛光后表面粗糙度降低19.8%,整体均匀性提高。SEM分析发现,化学抛光后表面损伤层被全部去除。77K时,化学抛光前后的范德堡霍尔测量发现,晶片化学抛光后,电阻率增加。
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