【摘 要】
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提出了一种基于Dickson电荷泵结构的片上升压电路,由两相非交叠时钟驱动,并与电平转换单元配合使用。该电路将最后一级的传输管NMOS管替换为PMOS管,再由电平转换单元产生的电
【机 构】
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中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,清华大学微电子学研究所,
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提出了一种基于Dickson电荷泵结构的片上升压电路,由两相非交叠时钟驱动,并与电平转换单元配合使用。该电路将最后一级的传输管NMOS管替换为PMOS管,再由电平转换单元产生的电压来控制该PMOS管的栅端电压,使之在导通时彻底打开,从而消除该级的阈值电压损失,提高了输出电压。
An on-chip boost circuit based on Dickson’s charge pump architecture is proposed, which is driven by a two-phase non-overlapping clock and is used in conjunction with a level shifter. The circuit will be the last level of the transmission tube NMOS tube replaced PMOS tube, and then by the level of the voltage generated by the conversion unit to control the gate voltage of the PMOS tube, so that when turned on completely open, thus eliminating the level of the threshold Voltage loss increases the output voltage.
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