【摘 要】
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通过高导热银浆实现了连接大面积(＞100 mm2)半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术.通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200
【机 构】
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哈尔滨工业大学,特种环境复合材料技术国防科技重点实验室,哈尔滨,150080;哈尔滨工业大学,工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室,深圳,518055;南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块
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通过高导热银浆实现了连接大面积(＞100 mm2)半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术.通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200 ℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算得到孔隙率约为9.88％,中间烧结银层等效热阻约为1.38×10-5m2·K/W.
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