阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

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提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性,优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和,模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2~0.8μm时可使比导通电阻降低40%~50%,耐压提高30%~50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%~50%,耐压提高10%~50%。
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