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用于军品微光象增强器高倍压电源的微型硅堆,具有高反压V_r≥5000V,极小反向漏电流I_r≤0.005μA、高可靠、外型小等优良特性。因此,研制和生产有较大难度。本文主要介绍了该特种器件的设计、研制和主要工艺特点,并介绍了研制结果。
高反压极小漏电流的微型硅堆SLD的研制
【摘 要】
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用于军品微光象增强器高倍压电源的微型硅堆,具有高反压V_r≥5000V,极小反向漏电流I_r≤0.005μA、高可靠、外型小等优良特性。因此,研制和生产有较大难度。本文主要介绍了该
【机 构】
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南京教育学院电子器件厂
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1990年6期
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