【摘 要】
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研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管（DHBT）直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀
【机 构】
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南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管（DHBT）直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气（N2）和硅烷（SiH4）取代常用的氨气（NH3）和硅烷（SiH4）作为淀积SiN薄膜的反应气体,显著地减少了器件发射结（B-E）和集电结（B-C）泄漏电流。另外,与未钝化器件的直流性能相比,钝化后器件的电流增益增加,基区表面复合电流大幅减小,这对提高器件的可靠性至关重要。
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