HgCdTe的金属有机汽相外延生长（下）

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【摘要】

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<正> 4.低温生长发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,

【作者】

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IrV. SJC 高国龙

【机构】

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美国洛克韦尔国际科学中心

【出处】

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红外

【发表日期】

：

1994年6期

【关键词】

：

HGCDTE 有机处延生长探测器

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<正> 4.低温生长发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低温度下热解的DiPTe用作DETe的替换物。使用这种前驱物时的典型生长温度

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