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利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应,计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构,并对其适用性进行了分析和讨论.通过与K-P模型比较发现,本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4 nm)的量子阱结构的电子态适合.在垒宽和阱宽不变条件下,用两种方法计算得到的AlGaAs/GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同.结果说明,在较宽的范围内,本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的.