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介绍了Ｃ波段低的ＧａＡｓＦＥＴ压控振荡器（ＶＣＯ）。这种振荡器采用混合参数设计技术，选用新型场效应晶体管（ＦＥＴ）反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素，提出并解决了一些技术难题，给出了测试结果。结果表明这种ＶＣＯ具有较大的优越性。
混合参数高灵敏度微波GaAsFET压控振荡器的研制
【摘 要】
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介绍了Ｃ波段低的ＧａＡｓＦＥＴ压控振荡器（ＶＣＯ）。这种振荡器采用混合参数设计技术，选用新型场效应晶体管（ＦＥＴ）反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素，提出并解决了一些技术难题
【机 构】
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南京理工大学
【出 处】
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现代雷达
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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国家预研基金
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