论文部分内容阅读
根据REUSRF原理，对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术，在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能：漏极偏压5V时，泄漏电流仅为1nA；当漂移区长度为4μm时，关态击穿电压达到50V，开态击穿电压大于20V；器件的输出曲线在饱和区光滑，未呈现翘曲现象，说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发。