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研究硅掺杂对CVD金刚石薄膜形貌、结构特性和成分的影响。通过向丙酮中加入正硅酸乙酯作为反应气体，在硅基底上沉积硅掺杂CVD金刚石薄膜。金刚石薄膜的表面形貌和显微组织由场发射电镜表征。金刚石薄膜的成分通过拉曼光谱和X射线衍射（XRD）进行研究。薄膜的表面粗糙度由表面轮廓仪评估。结果表明，硅掺杂会降低晶粒尺寸，促进晶粒细化并抑制三角锥形形貌。XRD研究表明，（111）朝向的晶面显著减少。拉曼光谱研究表明，硅掺杂会促进薄膜中硅碳键的形成以及非金刚石相的增多。在硅碳浓度比为1％时，沉积得到光滑的细晶粒金刚石薄膜。