2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——假同晶GaAs HEMT上的创新氮化物钝化及其对器件性能的影响

来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户：miaoloveyun

【摘要】

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<正> 22. 特邀论文:带铝盖铜垫的探测和线焊(InvitedPaper:Probing and Wire Bonding of AluminumCapped Copper Pads)-2002 International Relia-bility Physics Symposium

【出处】

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电子产品可靠性与环境试验

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

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低温氮化物淀积方法 GaAsHEMT 氮化物钝化化合物半导体

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<正> 22. 特邀论文:带铝盖铜垫的探测和线焊(InvitedPaper:Probing and Wire Bonding of AluminumCapped Copper Pads)-2002 International Relia-bility Physics Symposium pp. 140-143. 微电子制造已经开始发展并促进了用铜互连为首选金属的圆片制造工艺过程。由于裸铜线焊接被认为不是可靠和高产量的工艺过程,因而集成电路制造商在铜的顶部使用了铝盖,以方便焊接。

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