【摘 要】
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采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长
【机 构】
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西华师范大学物理与电子信息学院,中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室
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采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿（锥角约为35°）,让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为（002）面,其回摆曲线半峰宽为18 arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO（001）的Zn面,位错缺陷密度为103cm-2量级。晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃
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