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本文推导出增益耦合型分布反馈式（DFB）半导体激光器TE、TM模耦合系数k的计算公式。分析了DFB激光器的横模，讨论了k与DFB激光器横模、光栅级数、占空比及吸收光栅厚层的关系。最后得出含吸收光栅的GaAIAs/GaAs增益耦合型DFB激光器在采用三级光栅时的优化设计结果为：占空比0．16，吸收层厚50nm。