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随着晶体管尺寸的不断减小，水平分布的晶体管结构将遇到很大挑战，具有垂直结构的硅纳米线晶体管将会是很有前途的发展方向。作为下一代纳米电子材料，硅纳米线得到广泛应用的关键是要解决电学掺杂问题。具有一维结构的硅纳米线的掺杂同常规的三维体材料有很大的区别，而且缺乏合适的测试手段对如此小尺寸的材料中的载流子分布进行电学表征。