【摘 要】
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以国产纳米氮化硅粉为原料, 经凝胶注模成型后在流动的高纯N2作为控制气氛的条件下, 于1 510 ℃常压烧结出相对密度为0.72, 结构均一, 抗弯强度达89 MPa且具有良好介电性能的
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以国产纳米氮化硅粉为原料, 经凝胶注模成型后在流动的高纯N2作为控制气氛的条件下, 于1 510 ℃常压烧结出相对密度为0.72, 结构均一, 抗弯强度达89 MPa且具有良好介电性能的Si3N4天线罩材料.研究了原料的纯度、烧结温度、埋烧气氛对瓷体介电性能的影响.结果表明: 纳米粉原料中含有大量的SiO2, 可以促进坯体的烧结, 同时对瓷体的介电性能有较大的影响.因坯体收缩, 在致密化以前, 其介电常数随烧结温度的升高而增大. 当温度高于1 510 ℃时, 随着烧结温度的升高, 原料中氮化的Si-O数增
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