论文部分内容阅读
基于TSMC 0.18μm CMOSRF工艺，完成了一个全集成共源．共栅低噪声放大器设计。版图后仿真结果表明：1．8V电源电压下，电路静态功耗约为17mW;在DSRC系统工作频段上，电路实现了良好的综合性能指标，输入反射系数（S11）和输出反射系数（SEE）小于-15dB，增益（S21）大于14．OdB，反向隔离度（｜S12｜）达到32dB，噪声系数小于2dB，并且工作稳定。